圖片來源于三星半導體官方微博
與前幾代使用FinFET的納米芯片不同，三星使用的為全GAA（Gate All Around）晶體管架構，該架構大大改善了功率效率。球首三星半導體官方微博表示，家量“相較三星5納米（nm）而言，產納優化的米芯3納米（nm）工藝，性能提高23%，公司南通外圍女模特平臺（外圍模特）外圍女（微信181-2989-2716）高端外圍預約快速安排30分鐘到達功耗降低45%，星宣芯片芯片面積減少16%”。布已
據介紹，量產3nm GAA技術采用了更寬通的納米納米片，與采用窄通道納米線的為全GAA?技術相比能提供更高的性能和能耗比。3nm GAA技術上，三星能夠調整納米晶體管的通道寬度，優化功耗和性能，從而能夠滿足客戶的多元需求。
此外，GAA的設計靈活性對設計技術協同優化（DTCO)非常有利，有助于實現更好的PPA 優勢。與三星5nm工藝相比，第一代3nm工藝可以使功耗降低45%，性能提升23%，芯片面積減少16%；而未來第二代3nm工藝則使功耗降低50%，性能提升30%，芯片面積減少35%。