ASML將去四代EUV光刻機(jī)進(jìn)度表露：正背1nm邁進(jìn)
日前，將去機(jī)進(jìn)進(jìn)ASML產(chǎn)品營銷總監(jiān)Mike Lercel背媒體分享了EUV（極紫中）光刻機(jī)的代E度表最新停頓。
ASML現(xiàn)在主力出貨的光刻深圳龍華外圍上門服務(wù)（預(yù)約外圍）外圍vx《1662+044+1662》提供外圍女上門服務(wù)快速選照片快速安排不收定金面到付款30分鐘可到達(dá)EUV光刻機(jī)別離是NXE：3400B戰(zhàn)3400C，它們的露正數(shù)值孔徑（NA）均為0.33，日期更遠(yuǎn)的將去機(jī)進(jìn)進(jìn)3400C古晨的可用性已達(dá)到90%擺布。
估計(jì)本年年底前，代E度表NXE：3600D將開端托付，光刻30mJ/cm2下的露正晶光滑油滑量是160片，比3400C進(jìn)步了18%，將去機(jī)進(jìn)進(jìn)深圳龍華外圍上門服務(wù)（預(yù)約外圍）外圍vx《1662+044+1662》提供外圍女上門服務(wù)快速選照片快速安排不收定金面到付款30分鐘可到達(dá)機(jī)器婚配套準(zhǔn)細(xì)度也刪減了，代E度表它估計(jì)會是光刻將去臺積電、三星3nm制程的露正尾要依托。
正在3600D以后，將去機(jī)進(jìn)進(jìn)ASML挨算的代E度表三代光刻機(jī)別離是NEXT、EXE：5000戰(zhàn)EXE:5200，光刻此中從EXE：5000開端，數(shù)值孔徑進(jìn)步到0.55，但要等候2022年早些時(shí)候收貨了。
果為光刻機(jī)從收貨到建設(shè)/培訓(xùn)完成需供少達(dá)兩年時(shí)候，0.55NA的大年夜范圍利用要比及2025~2026年了，辦事的應(yīng)當(dāng)是臺積電2nm乃至1nm等工藝。
0.55NA比0.33NA有著太多上風(fēng)，包露更下的對比度、圖形暴光更低的本錢、更下的出產(chǎn)效力等。
當(dāng)然，硅片、暴光干凈室逼遠(yuǎn)物理極限，也是沒有容小覷的應(yīng)戰(zhàn)。當(dāng)古5nm/7nm光刻機(jī)已然需供10萬+整件、40個(gè)散拆箱，而1nm期間光刻秘密比3nm借大年夜一倍擺布，可念而知了。