NVIDIA發(fā)布H100 GPU核心
芯研所3月26日消息，發(fā)布日前，核心NVIDIA發(fā)布H100 GPU核心，發(fā)布西安包夜外圍上門外圍女姐（電話微信199-7144=9724）一二線城市均可安排、高端一手資源、高質(zhì)量外圍女模特空姐、學(xué)生妹應(yīng)有盡有它專為AI及HPC高性能計算而生的核心超級GPU，擁有1.8萬個CUDA核心。發(fā)布H100沒有使用傳聞的核心臺積電5nm，而是發(fā)布定制版的臺積電4nm工藝，名字為4N，核心而臺積電的發(fā)布4nm官方命名是N4，集成了超過800億晶體管，核心西安包夜外圍上門外圍女姐（電話微信199-7144=9724）一二線城市均可安排、高端一手資源、高質(zhì)量外圍女模特空姐、學(xué)生妹應(yīng)有盡有核心面積高達(dá)814mm2，發(fā)布作為對比的核心話，上代的發(fā)布A100核心是臺積電7nm工藝，542億晶體管，核心核心面積826mm2。發(fā)布
在面積幾乎相同的情況下，H100核心的晶體管密度提升了48%左右，不過比臺積電官方宣稱的密度提升80%要少。NVIDIA上次使用臺積電定制工藝還要追溯到12nm圖靈時代，這次則是4nm工藝定制版，但是跟之前一樣，NVIDIA并沒有明確給出定制版4N工藝跟臺積電N4工藝區(qū)別有多少。
目前所知的差異主要是能效，4N工藝重點優(yōu)化了省電，雖然SXM版H100最高功耗有700W，但是PCIe 5.0版的功耗是350W，相比目前的A100核心的400W還低了，但性能提升是數(shù)倍的，可見能效之高。
在面積幾乎相同的情況下，H100核心的晶體管密度提升了48%左右，不過比臺積電官方宣稱的密度提升80%要少。NVIDIA上次使用臺積電定制工藝還要追溯到12nm圖靈時代，這次則是4nm工藝定制版，但是跟之前一樣，NVIDIA并沒有明確給出定制版4N工藝跟臺積電N4工藝區(qū)別有多少。
目前所知的差異主要是能效，4N工藝重點優(yōu)化了省電，雖然SXM版H100最高功耗有700W，但是PCIe 5.0版的功耗是350W，相比目前的A100核心的400W還低了，但性能提升是數(shù)倍的，可見能效之高。
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